డా. సంజయ్ ఆర్. ధాగే

1. మిశ్రమ (Pb+Ti) ఆక్సలేట్ల పూర్వగామి పదార్థం యొక్క రసాయన సహ-అవక్షేపణ ద్వారా PbTiO3 పొడి సంశ్లేషణ, S. R. Dhage, Y. B. Khollam, H. S. Potdar, S. B. Deshpande, B. D. Sarwade మరియు S. K. Date, Materials Letters 56 (2002) 564–570 (DOI) IF: 3.57
2. సబ్‌మైక్రాన్ పరిమాణం గల గోళాకార మాగ్నెటైట్ (Fe3O4) పొడుల మైక్రోవేవ్-హైడ్రోథర్మల్ తయారీ, Y.B. Khollam, S.R. Dhage, H.S. Potdar, S.B. Deshpande, P.P. Bakare, S.D. Kulkarni మరియు S.K. Date, Materials Letters 56 (2002) 571–577 (DOI) IF: 3.57
3. మైక్రోవేవ్-హైడ్రోథర్మల్ సంశ్లేషణలో ఐరన్ ఆక్సైడ్ దశల స్ఫటికీకరణపై మోలార్ నిష్పత్తి (pH) మార్పు ప్రభావం, S. R. Dhage, Y. B. Khollam, H. S. Potdar, S. B. Deshpande, P. P. Bakare, S. R. Sainkar మరియు S. K. Date, Materials Letters 57 (2002) 457–462 (DOI) IF: 3.57
4. SnO2, Nb యొక్క నాన్‌లీనియర్ I-V లక్షణాలపై లాంతనం ప్రభావం, S. R. Dhage, V. Ravi మరియు S.K. Date, Materials Letters 57 (2002) 727–729 (DOI) IF: 3.57
5. టిన్ డయాక్సైడ్ సిరామిక్స్ యొక్క నాన్‌లీనియర్ I-V లక్షణాలపై వివిధ డోనర్ల ప్రభావం, S. R. Dhage మరియు V. Ravi, Applied Physics Letters 83 (22) (2003) 4539–4541 (DOI) IF: 3.97
6. మైక్రోవేవ్ డైఎలెక్ట్రిక్ Sn0.2Zr0.8TiO4 తయారీ, S. R. Dhage, V. Ravi మరియు S.K. Date, Bulletin of Materials Science 26 (2) (2003) 215–216 (DOI) IF: 1.88
7. డోప్ చేసిన SnO2 ఆధారిత వేరిస్టర్లు, S. R. Dhage, Violet Samuel మరియు V. Ravi, Journal of Electroceramics 11, 81–87 (2003) (DOI) IF: 1.81
8. నానోక్రిస్టలైన్ ఫెర్రోఎలక్ట్రిక్ SrBi2Ta2O9 తయారీకి సహ-అవక్షేపణ సాంకేతికత, S. R. Dhage, Y. B. Khollam, S. B. Deshpande మరియు V. Ravi, Materials Research Bulletin 38 (2003) 1601–1605 (DOI) IF: 5.60
9. సిట్రేట్ జెల్ పద్ధతి ద్వారా అల్ట్రాఫైన్ TiO2 సంశ్లేషణ, S. R. Dhage, Renu Pasricha మరియు V. Ravi, Materials Research Bulletin 38 (2003) 1623–1628 (DOI) IF: 5.60
10. డోప్ చేసిన SnO2 యొక్క నాన్‌లీనియర్ I-V లక్షణాల అధ్యయనం, S. R. Dhage, V. Ravi మరియు S.K. Date, Bulletin of Materials Science 27 (1) (2004) 43–45 (DOI) IF: 1.88
11. 100°C వద్ద నానోక్రిస్టలైన్ SnO2 పొడి సంశ్లేషణ, S.R. Dhage, S.P. Gaikwad, Violet Samuel మరియు V. Ravi, Bulletin of Materials Science 27 (3) (2004) 221–222 (DOI) IF: 1.88
12. టార్ట్రేట్ జెల్ పద్ధతి ద్వారా నానోక్రిస్టలైన్ TiO2 సంశ్లేషణ, S.R. Dhage, S.P. Gaikwad మరియు V. Ravi, Bulletin of Materials Science 27 (6) (2004) 487–489 (DOI) IF: 1.88
13. 100°C వద్ద Ce0.75Zr0.25O2 సంశ్లేషణ, S.R. Dhage, S.P. Gaikwad, P. Muthukumar మరియు V. Ravi, Ceramics International 31 (2005) 211–213 (DOI) IF: 5.53
14. 100°C వద్ద నానోక్రిస్టలైన్ TiO2 సంశ్లేషణ, S. R. Dhage, Vandana D. Choube, Violet Samuel మరియు V. Ravi, Materials Letters 58 (2004) 2310–2313 (DOI) IF: 3.57
15. మెసోపోరస్ రూటైల్ TiO2 సంశ్లేషణ, Violet Samuel, P. Muthukumar, S.P. Gaikwad, S.R. Dhage మరియు V. Ravi, Materials Letters 58 (2004) 2514–2516 (DOI) IF: 3.57
16. సిట్రేట్ జెల్ పద్ధతి ద్వారా Ce0.75Zr0.25O2 సంశ్లేషణ, S.R. Dhage, S.P. Gaikwad, P. Muthukumar మరియు V. Ravi, Materials Letters 58 (2004) 2704–2706 (DOI) IF: 3.57
17. సిట్రేట్ పద్ధతి ద్వారా బిస్మత్ టైటానేట్ సంశ్లేషణ, S.R. Dhage, Y.B. Khollam, S.B. Dhespande, H.S. Potdar మరియు V. Ravi, Materials Research Bulletin 39 (2004) 1993–1998 (DOI) IF: 1.88
18. డోప్ చేసిన SnO2 యొక్క నాన్‌లీనియర్ I–V లక్షణాలు, S.R. Dhage, Vandana Choube మరియు V. Ravi, Materials Science and Engineering B 110 (2004) 168–171 (DOI) IF: 3.40
19. నానోక్రిస్టలైన్ ఫెర్రోఎలక్ట్రిక్ SrBi2Nb2O9 సిరామిక్స్ తయారీకి సహ-అవక్షేపణ పద్ధతి, S.P. Gaikwad, S.R. Dhage, H.S. Potdar, V. Samuel మరియు V. Ravi, Journal of Electroceramics 14 (2005) 83–87 (DOI) IF: 1.81
20. ఫెర్రోఎలక్ట్రిక్ CaBi4Ti4O15 తయారీకి సహ-అవక్షేపణ పద్ధతి, S.P. Gaikwad, S.R. Dhage మరియు V. Ravi, Journal of Materials Science: Materials in Electronics 16 (2005) 229–231 (DOI) IF: 2.78
21. యూరియా పద్ధతి ద్వారా Sr0.5Ba0.5Nb2O6 సంశ్లేషణ, S.R. Dhage, Renu Pasricha మరియు V. Ravi, Materials Letters 59 (2005) 1053–1055 (DOI) IF: 3.57
22. యూరియా పద్ధతి ద్వారా ఫెర్రోఎలక్ట్రిక్ BaNb2O6 తయారీ, S.R. Dhage, R. Pasricha మరియు V. Ravi, Materials Letters 59 (2005) 1929–1931 (DOI) IF: 3.57
23. మైక్రోవేవ్-హైడ్రోథర్మల్ పద్ధతి ద్వారా సంశ్లేషణ చేసిన నానో-పరిమాణ ఫెరైట్ పొడుల అయస్కాంత లక్షణాలు, Khollam, Y.B.; Dhage, S.R.; Verma, S.; Potdar, H.S.; Deshpande, S.B.; Joy, P.A.; Date, S.K., Ninth International Conference on Ferrites (ICF-9) (2005) 143–148 (WOSUID: WOS:000227460600023)
24. 100°C వద్ద బిస్మత్ ఆక్సైడ్ నానోకణాల సంశ్లేషణ, M.M. Patil, V.V. Deshpande, S.R. Dhage మరియు V. Ravi, Materials Letters 59 (2005) 2523–2525 (DOI) IF: 3.57
25. యూరియా పద్ధతి ద్వారా బిస్మత్ టైటానేట్ సంశ్లేషణ, M. Anilkumar, S.R. Dhage మరియు V. Ravi, Materials Letters 59 (2005) 514–516 (DOI) IF: 3.57
26. 100°C వద్ద ZnO సూక్ష్మ కణాల సంశ్లేషణ, S.R. Dhage, Renu Pasricha మరియు V. Ravi, Materials Letters 59 (2005) 779–781 (DOI) IF: 3.57
27. SnO2-ZrO2 ఘన ద్రావణంపై అధ్యయనాలు, S. R. Dhage, Violet Samuel, Renu Pasricha మరియు V. Ravi, Ceramics International 32 (2006) 939–941 (DOI) IF: 5.53
28. ఫెర్రోఎలక్ట్రిక్ BaBi2Ta2O9 తయారీకి సహ-అవక్షేపణ సాంకేతికత, S.R. Dhage, R. Pasricha, A.V. Murugan మరియు V. Ravi, Materials Chemistry and Physics 98 (2006) 344–346 (DOI) IF: 4.78
29. SnO2 ఆధారిత తక్కువ వోల్టేజ్ వేరిస్టర్ సిరామిక్స్, S.R. Dhage*, V. Ravi మరియు O.B. Yang, Bulletin of Materials Science 30 (6) (2007) 583–586 (DOI) IF: 1.88
30. ZnO వేరిస్టర్‌పై సర్ఫాక్టెంట్ ప్రభావం, S.R. Dhage, S.C. Navale మరియు V. Ravi, Ceramics International 33 (2007) 289–291 (DOI) IF: 5.53
31. బేరియం మరియు స్ట్రాన్షియం ద్వారా మార్పు చేసిన SnO2.CoO.Ta2O5 సిరామిక్ యొక్క వేరిస్టర్ లక్షణం, S.R. Dhage*, V. Ravi మరియు O.B. Yang, Journal of Alloys and Compounds 466 (2008) 483–487 (DOI) IF: 6.37
32. ప్రింటెడ్ ఎలక్ట్రానిక్స్ సాంకేతికత కోసం కాపర్ నానో-ఇంక్‌ను ఇంటెన్స్ పల్స్డ్ లైట్ ద్వారా సింటరింగ్ చేయడం, H.S. Kim, S. R. Dhage, D.E. Shim మరియు H.T. Hahn, Applied Physics A 97 (2009) 791–798 (DOI) IF: 2.17
33. షట్కోణ ఆకారంలో ఉన్న h-MoO3 నానోరాడ్‌లను తక్కువ ఉష్ణోగ్రత వద్ద తయారు చేయడం మరియు వాటి దశా పరివర్తన, S.R. Dhage*, M.S. Hassan మరియు O.B. Yang, Materials Chemistry and Physics 114 (2009) 511–514 (DOI) IF: 4.78
34. యాక్టివేటెడ్ కార్బన్‌తో సిలికా యొక్క కార్బోథర్మిక్ రిడక్షన్ ద్వారా SiC నానోవిస్కర్ల నిర్మాణం, S.R. Dhage, H.C. Lee, M.S. Hassan, M.S. Akthar, C.Y. Kim, J.M. Sohn, H.S. Shin మరియు O.B. Yang, Materials Letters 63 (2009) 174–176 (DOI) IF: 3.57
35. సంఖ్యాత్మక మరియు ప్రయోగాత్మక రూపకల్పన విధానాన్ని ఉపయోగించి CIGS సన్నని పొర సౌర ఘటాన్ని రూపకల్పన చేసి అనుకూలీకరించడం, I. Seok, S. Dhage, H.S. Kim మరియు H.T. Hahn, ASME 3rd International Conference on Energy and Sustainability, Energy Sustainability (2010) 999–1003 (DOI)
36. సిలికాన్ లోహం కోసం SiO2 యొక్క ప్రత్యక్ష కార్బోథర్మిక్ రిడక్షన్‌పై సిమ్యులేషన్ అధ్యయనం, H.C. Lee, S. Dhage, M.S. Akhtar, D.H. Kwak, W.J. Lee, C.Y. Kim మరియు O.B. Yang, Current Applied Physics 10 (2010) S218–S221 (DOI) IF: 2.86
37. నియంత్రించగల విద్యుత్ వాహకత కలిగిన పాలిపైరోల్/సిలికాన్ కార్బైడ్ నానోకంపోజిట్లు, P. Mavinakuli, S. Wei, Q. Wang, A.B. Karki, S. Dhage, Z. Wang, D.P. Young మరియు Z. Guo, Journal of Physical Chemistry C 114 (2010) 3874–3882 (DOI) IF: 4.18
38. ఇంటెన్స్ పల్స్డ్ లైట్ ద్వారా CIGS కణాలకు వేగవంతమైన చికిత్స, S.R. Dhage* మరియు H. Thomas Hahn, Journal of Physics and Chemistry of Solids 71 (2010) 1480–1483 (DOI) IF: 4.39
39. పవర్ లామినేట్‌ల కోసం నానోకంపోజిట్లు, Kim, H.S., Lee, Y.M., Dhage, S., Kang, J.S. మరియు Hahn, H.T., Proceedings of 17th International Conference on Composite Materials (ICCM-17)
40. ఇంటెన్స్ పల్స్డ్ లైట్ సాంకేతికత ద్వారా CIG మెటాలిక్ మిశ్రమం మరియు Se నానోకణాల నుంచి CIGS సన్నని పొర తయారీ, S.R. Dhage*, Hak-Sung Kim మరియు H. Thomas Hahn, Journal of Electronic Materials 40 (2) (2011) 122–126 (DOI) IF: 2.05
41. సౌర ఫోటోవోల్టాయిక్ సాంకేతికతల సమీక్ష, Sanjay R. Dhage, IRSAPS Bulletin 2011, Vol. 1, Issue 1, పేజీలు 17–25
42. దశా పరివర్తన లేకుండా CdS నానోక్రిస్టల్స్‌లో ఆకృతిశాస్త్ర వైవిధ్యాలు, S.R. Dhage*, H.A. Colorado మరియు H. Thomas Hahn, Nanoscale Research Letters 6 (2011) 420 (DOI) IF: 5.41
43. ఇంటెన్స్ పల్స్డ్ లైట్ వికిరణం మరియు అధిక ఉష్ణోగ్రత పరిస్థితుల్లో CdS నానోకణాల థర్మోకెమికల్ స్థిరత్వం, H.A. Colorado, S.R. Dhage మరియు H. Thomas Hahn, Materials Science and Engineering B 176 (2011) 1161–1168 (DOI) IF: 3.40
44. ఉష్ణ స్థిరత్వం కలిగిన అధిక స్ఫటికత గల CdS నానోకణాల ఫోటోల్యూమినెసెన్స్ లక్షణాలు, S.R. Dhage*, H.A. Colorado మరియు H. Thomas Hahn, Materials Research 15 (6) (2012) 1–4 (DOI) IF: 1.55
45. నానోపదార్థాల కోసం ఇంటెన్స్ పల్స్డ్ లైట్ సింటరింగ్ సాంకేతికత, H.A. Colorado, S.R. Dhage, J.M. Yang మరియు H. Thomas Hahn, TMS Annual Meeting 1 (2012) 577–584 (DOI)
46. ముందుగా నిక్షిప్తం చేసిన నానో-ఇంక్ పూర్వగామి పొరపై లేజర్ చికిత్స ద్వారా CIGS సన్నని పొర అబ్జార్బర్ తయారీ, Sanjay R. Dhage*, Manish Tak మరియు Shrikant V. Joshi, Materials Letters 58 (2014) 2310–2313 (DOI) IF: 3.57
47. ఇంక్‌జెట్-ప్రింట్ చేసిన ఫిల్మ్‌కు ఒకే దశలో నాన్-వాక్యూమ్ ఇంటెన్స్ పల్స్డ్ లైట్ చికిత్స ద్వారా CIGS అబ్జార్బర్ పొర తయారీ, Sanjay R. Dhage*, P.S. Chandrasekhar, S.B. Chandrasekhar మరియు Shrikant V. Joshi, Proceedings of 40th IEEE Photovoltaic Specialist Conference (2014) 1607–1610 (DOI)
48. CIGS సన్నని పొర సౌర ఘటాల అనువర్తనాల కోసం స్పట్టర్ చేసిన పెద్ద విస్తీర్ణం గల Mo ద్విపొరల లక్షణాలపై ప్రక్రియ పారామీటర్ల ప్రభావం, Amol C. Badgujar, Sanjay R. Dhage* మరియు Shrikant V. Joshi, Thin Solid Films 589 (2015) 79–84 (DOI) IF: 2.36
49. సౌకర్యవంతమైన గాజు సబ్‌స్ట్రేట్‌లపై CIGS సన్నని పొర అబ్జార్బర్ తయారీకి నాన్-వాక్యూమ్ విధానం, Amol C. Badgujar, K. Madhuri, Sean Garner, Sanjay R. Dhage* మరియు Shrikant V. Joshi, Proceedings of 40th IEEE Photovoltaic Specialist Conference (2015) (DOI)
50. CIGS సన్నని పొర సౌర ఘటాల అనువర్తనం కోసం మాలిబ్డినం ద్విపొర బ్యాక్ కాంటాక్ట్‌కు పల్స్డ్ నానోసెకండ్ లేజర్ స్క్రైబింగ్, Amol C. Badgujar మరియు Sanjay R. Dhage, International Conference on Application of Lasers in Manufacturing (CALM 2015), పేజీలు 64–65
51. సోడా-లైమ్ గ్లాస్ సబ్‌స్ట్రేట్‌పై మాగ్నెట్రాన్ స్పట్టరింగ్ ద్వారా నిక్షిప్తం చేసిన ద్విపొర మాలిబ్డినం సన్నని ఫిల్మ్‌ల అతుక్కునే బలంపై వివిధ ఉపరితల చికిత్సల ప్రభావం, B.S. Yadav, Amol C. Badgujar మరియు Sanjay R. Dhage*, Solar Energy 157 (2017) 507–513 (DOI) IF: 7.19
52. ఫోటోవోల్టాయిక్ అనువర్తనం కోసం ఇంక్‌జెట్ ప్రింటింగ్ ద్వారా చాల్కోపైరైట్ CIGS అబ్జార్బర్ పొర తయారీ, B.S. Yadav, Suhash R. Dey మరియు Sanjay R. Dhage*, Materials Today Proceedings 4 (14) (2017) 12480–12483 (DOI)
53. CIGS సౌర ఘటాల అనువర్తనం కోసం 300 mm × 300 mm గాజుపై CBD పద్ధతి ద్వారా CdS బఫర్ పొర తయారీ, P. Uday Bhaskar మరియు Sanjay R. Dhage*, Materials Today Proceedings 4 (14) (2017) 12525–12528 (DOI)
54. సన్నని పొర అబ్జార్బర్ అనువర్తనం కోసం CuIn0.7Ga0.3Se2 నానోకణాల సోనోకెమికల్ సంశ్లేషణ, Amol C. Badgujar, R.O. Dusane మరియు Sanjay R. Dhage*, Materials Science in Semiconductor Processing 81 (2018) 17–21 (DOI) IF: 4.65
55. ఫ్లాష్ లైట్ పోస్ట్-ట్రీట్‌మెంట్ ద్వారా Cu(In,Ga)Se2 సన్నని పొర అబ్జార్బర్ పొర తయారీ, Amol C. Badgujar, R.O. Dusane మరియు Sanjay R. Dhage*, Vacuum 153 (2018) 191–194 (DOI) IF: 4.11
56. CIGS సౌర ఘటాల అనువర్తనం కోసం సిలిండ్రికల్ రొటేటింగ్ DC మాగ్నెట్రాన్ స్పట్టరింగ్ ద్వారా పెద్ద విస్తీర్ణంలో మాలిబ్డినం ద్విపొర సన్నని ఫిల్మ్ తయారీ, Amol C. Badgujar, Brijesh Singh Yadav, Suhash R. Dey, Rajiv O. Dusane మరియు Sanjay R. Dhage*, Proceedings of 35th EUPVSEC 2018 (DOI)
57. CIGS సౌర ఘటాల అనువర్తనాల కోసం ద్విపొర మాలిబ్డినం సన్నని ఫిల్మ్‌ల సెలెక్టివ్ లేజర్ అబ్లేషన్‌పై ప్రక్రియ పారామీటర్ల ప్రభావం, Amol C. Badgujar, Shrikant V. Joshi మరియు Sanjay R. Dhage*, Materials Focus 7 (4) (2018) 556–562 (DOI)
58. సమర్థవంతమైన సిలిండ్రికల్ రొటేటింగ్ DC మాగ్నెట్రాన్ స్పట్టరింగ్ ద్వారా పెద్ద విస్తీర్ణంలో పారదర్శక విద్యుత్ వాహక Al సన్నని ఫిల్మ్ తయారీ, Sanjay R. Dhage* మరియు Amol C. Badgujar, Journal of Alloys and Compounds 763 (2018) 504–511 (DOI) IF: 6.37
59. సౌర ఘటాల అనువర్తనం కోసం Cu(In,Ga)Se2 సన్నని పొర అబ్జార్బర్ తయారీకి సజల ఇంక్ యొక్క సమర్థవంతమైన ఇంక్‌జెట్ ప్రింటింగ్, B.S. Yadav, Suhash R. Dey మరియు Sanjay R. Dhage*, Solar Energy 179 (2019) 363–370 (DOI) IF: 7.19
60. ఇంక్‌జెట్-ప్రింట్ చేసిన CIGSe2 సన్నని పొర సౌర ఘటం యొక్క సెలెనైజేషన్‌లో సెలీనియం పరిమాణం పాత్ర, B.S. Yadav, Suhash R. Dey మరియు Sanjay R. Dhage*, AIP Conference Proceedings 2082 (2019) 50001 (DOI)
61. సౌర ఘటాల అనువర్తనం కోసం స్ప్రే-కాస్ట్ చేసిన Cu(In,Ga)Se2 నానోక్రిస్టల్ సన్నని ఫిల్మ్‌ల పల్స్డ్ లేజర్ ఎనీలింగ్, Amol C. Badgujar, R.O. Dusane మరియు Sanjay R. Dhage*, Solar Energy 199 (2020) 47–54 (DOI) IF: 7.19
62. మెరుగైన సామర్థ్యం కలిగిన ఇంక్‌జెట్-ప్రింట్ చేసిన Cu(In,Ga)Se2 సన్నని పొర సౌర ఘటం యొక్క సూక్ష్మ నిర్మాణ పరిశీలన, B.S. Yadav, K. Suresh, Suhash R. Dey మరియు Sanjay R. Dhage*, Journal of Alloys and Compounds 827 (2020) 154395 (DOI) IF: 6.37
63. CIGS నానోకణాల సాల్వోథర్మల్ సంశ్లేషణపై ఎనీలింగ్ సమయం మరియు ఉష్ణ ప్రవాహం ప్రభావం, K. Madhuri, P.K. Kannan, Sushmita Chaudhari, Sanjay R. Dhage మరియు Suhash R. Dey, Materials Today: Proceedings 21 (4) (2020) 1882–1887 (DOI)
64. స్ప్రే-కాస్ట్ చేసిన నానోక్రిస్టలైన్ పొరల వాతావరణ సెలెనైజేషన్ ద్వారా తయారు చేసిన Cu(In,Ga)Se2 సన్నని పొర సౌర ఘటాలు, Amol C. Badgujar, R.O. Dusane మరియు Sanjay R. Dhage*, Solar Energy 209 (2020) 1–10 (DOI) IF: 7.19
65. స్పిన్-కోటెడ్ CIG పూర్వగామి పదార్థాన్ని ఉపయోగించి CIGS నిర్మాణంపై పూర్వగామి పదార్థం యొక్క ప్రీ-హీట్ చికిత్స ప్రభావంపై పరిశోధన, K. Madhuri, P.K. Kannan, Brijesh Singh Yadav, Sushmita Chaudhari, Sanjay R. Dhage మరియు Suhash R. Dey, Journal of Materials Science: Materials in Electronics 32 (2021) 1521–1527 (DOI) IF: 2.78
66. ఒకే దశలో వాతావరణ సెలెనైజేషన్ ద్వారా 12.95% సామర్థ్యం కలిగిన Cu(In,Ga)Se2 సౌర ఘటాలు; వీటిని మోనోలిథిక్‌గా అనుసంధానించిన మాడ్యూళ్ల స్థాయికి విస్తరించడం, Sanjay R. Dhage*, Brijesh Singh Yadav, Golu Kumar Jha మరియు Amol C. Badgujar, ACS Applied Energy Materials 4, 1 (2021) 286–294 (DOI) IF: 6.96
67. చాల్కోపైరైట్ సౌర ఘటాల్లో మెరుగైన విద్యుత్ మార్పిడి సామర్థ్యం కోసం నియంత్రిత సెలీనియం పంపిణీ ద్వారా ఇంక్‌జెట్-ప్రింట్ చేసిన CuInXGa(1-X)Se2 సన్నని ఫిల్మ్, B.S. Yadav, Suhash R. Dey మరియు Sanjay R. Dhage*, Applied Surface Science Advances 6 (2021) 100144 (DOI) IF: 6.10
68. నియంత్రిత సెలెనైజేషన్ ప్రక్రియ ద్వారా ద్రావణ-ప్రాసెసింగ్ చేసిన CIGS సన్నని పొర సౌర ఘటం, Amol C. Badgujar, Rajiv O. Dusane మరియు Sanjay R. Dhage, Materials Today: Proceedings 52 (2022) 829–833 (DOI)
69. సౌర ఘటాలు మరియు తక్కువ బ్యాండ్‌గ్యాప్ ఆప్టోఎలక్ట్రానిక్ పరికరాల అనువర్తనం కోసం గది ఉష్ణోగ్రత వద్ద స్పట్టర్ చేసిన Al-డోప్‌డ్ ZnO సన్నని పొర పారదర్శక ఎలక్ట్రోడ్, Amol C. Badgujar, Brijesh Singh Yadav, Golu Kumar Jha మరియు Sanjay R. Dhage*, ACS Omega 7 (2022) 14203–14210 (DOI) IF: 4.53
70. స్టెబిలైజర్లను ఉపయోగించి అనుకూలీకరించిన అధిక స్ఫటికత గల CZTS సన్నని ఫిల్మ్‌ల ద్వారా మెరుగైన ఫోటోక్యాటలిసిస్ మరియు ఫోటోడిటెక్షన్, Ravi Mudike, Amarnath Bheemaraju, Tabish Rasheed, Neha Singh, Sanjay R. Dhage, Prasanna Doddakunche Shivaramu మరియు Dinesh Rangappa, Ceramics International 48 (23) (2022) 35666–35675 (DOI) IF: 5.53
71. మెరుగైన ఆప్టోఎలక్ట్రానిక్ లక్షణాలు కలిగిన ద్రావణ-ప్రాసెసింగ్ చేసిన నానోస్ట్రక్చర్డ్ CdS సన్నని ఫిల్మ్‌లు, Ravi Mudike, Sanjay R. Dhage*, Prasanna D. Shivaramu మరియు Dinesh Rangappa, Journal of ISAS 1 (4) (2023) 35–42 (DOI: 10.59143/isas.jisas.1.4.KDJF7931)
72. మల్టీ-వాల్డ్ నానోట్యూబ్‌లతో హైడ్రోజనేటెడ్ నైట్రైల్ బ్యూటాడీన్ రబ్బర్ (HNBR) యొక్క నిర్మాణం-లక్షణాల సంబంధం, G. Rajesh, Ivaturi Srikanth, P.M. Asseref, Sanjay R. Dhage మరియు Ch. Subramanyam, Proceeding of Physics (ఆమోదించబడింది)
73. ఫోటోవోల్టాయిక్ అనువర్తనం కోసం ద్రావణ-ప్రాసెసింగ్ చేసిన CIGS సన్నని పొర అబ్జార్బర్‌లో సోడియం అయాన్ సాంద్రత ప్రభావం, K. Madhuri, P.K. Kannan, R. Dhanabal, Sanjay R. Dhage మరియు Suhash Ranjan Dey, ES Energy and Environment (ఆమోదించబడింది)
74. ఆప్టోఎలక్ట్రానిక్ అనువర్తనం కోసం Al యొక్క బోలు స్థూపాకార నిర్మాణం యొక్క ద్రావణ-ప్రాసెసింగ్ ద్వారా నియంత్రిత ఆకృతిశాస్త్రం, Pragyan Paramita Sahoo, Manaswi Pulijala, P. Syam Prasad, P.K. Jain మరియు Sanjay R. Dhage, Nano and Microstructures (సమీక్షలో ఉంది)
75. పరిసర పరిస్థితుల వల్ల క్షీణించిన MXene, సింథటిక్ మల్టీగ్రేడ్ ఆయిల్ యొక్క రియోలాజికల్ మరియు ట్రైబోలాజికల్ ప్రవర్తనపై చూపే ప్రభావం, Nowduru Ravikiran, Swati Singh, Phani Chalapaka, Sanjay R. Dhage మరియు Pawan Kumar Jain, Tribology and Interfaces (ఆమోదించబడింది)

1. అధ్యాయం: సుస్థిర ఫోటోవోల్టాయిక్స్ (Sustainable Photovoltaics), Ginley D., … Dhage S. తదితరులు, Ginley D. మరియు Chattopadhyay K. (సంపాదకులు), వాల్యూం 39, పేజీలు 25-85, Springer Cham (2020), ISBN 978-3-030-33183-2, ఆన్‌లైన్ ISBN 978-3-030-33184-9 (https://doi.org/10.1007/978-3-030-33184-9_2)
2. అధ్యాయం: ఎలక్ట్రానిక్ పరిశ్రమల కోసం మెటల్ ఆక్సైడ్ ఆధారిత నానో-ఇంక్‌లు (Nano-inks Based on Metal Oxides for Electronic Industries), స్మార్ట్ మల్టీఫంక్షనల్ నానో-ఇంక్‌లు: ప్రాథమిక అంశాలు మరియు అభివృద్ధి చెందుతున్న అనువర్తనాలు (Smart Multifunctional Nano-Inks: Fundamental and Emerging Applications) అనే పుస్తకంలో, Brijesh Singh Yadav, Amol C. Badgujar మరియు Sanjay R. Dhage*, R. Gupta మరియు T. A. Nguyen (సంపాదకులు), (2023) Elsevier, ISBN 978-0-323-91145-0 (https://doi.org/10.1016/B978-0-323-91145-0.00005-0)
3. అధ్యాయం: Cu(In,Ga)Se2 సన్నని పొర సౌర మాడ్యూల్ యొక్క మోనోలిథిక్ ఇంటిగ్రేషన్ కోసం నానోసెకండ్ స్క్రైబింగ్, మెటీరియల్స్ మరియు తయారీ సాంకేతికతలో ఇటీవలి పురోగతులు (Recent Advances in Materials and Manufacturing Technology) అనే పుస్తకంలో, Amol C. Badgujar, Bhushan Nadwalkar మరియు Sanjay R. Dhage, R.K. Nayak, M.K. Pradhan, A. Mandal మరియు J.P. Dawim (సంపాదకులు), (2023) Springer, ISBN 978-981-99-2920-7 (https://doi.org/10.10007/978-981-99-2920-7)
4. అధ్యాయం: Cu(InGa)Se2 నానోపదార్థాలను ఉపయోగించి సన్నని పొర ఫోటోవోల్టాయిక్స్, Amol C. Badgujar, Brijesh Singh Yadav, R.O. Dusane మరియు Sanjay R. Dhage*, సన్నని పొర నానోపదార్థాలు: సంశ్లేషణ, లక్షణాలు మరియు వినూత్న ఇంధన అనువర్తనాలు (Thin Film Nanomaterials: Synthesis, Properties and Innovative Energy Applications) అనే పుస్తకంలో. సంపాదకులు: Sampat G. Deshmukh, Vipul Kheraj, Kailash J. Karande మరియు Swanand G. Kulkarni, Bentham Science, ISBN: 978-981-5256-09-3, పేజీలు 36-64 (2024) (DOI: 10.2174/9789815256086124010005)
5. అధ్యాయం: సమలేఖనం చేయబడిన కార్బన్ నానోట్యూబ్ సన్నని పొర ఆధారిత అధిక-శక్తి కాథోడ్ ఉద్గారకాలు, Balaji Padya, K. Santosh Kumar, N. Ravikiran, Sanjay Dhage, Pavi Meduri మరియు P.K. Jain, సన్నని పొర నానోపదార్థాలు: సంశ్లేషణ, లక్షణాలు మరియు వినూత్న ఇంధన అనువర్తనాలు (Thin Film Nanomaterials: Synthesis, Properties and Innovative Energy Applications) అనే పుస్తకంలో. సంపాదకులు: Sampat G. Deshmukh, Vipul Kheraj, Kailash J. Karande మరియు Swanand G. Kulkarni, Bentham Science, ISBN: 978-981-5256-09-3, పేజీలు 257-284 (2024) (DOI: 10.2174/9789815256086124010013)

1. శీర్షిక: లేజర్ చికిత్స ద్వారా కాపర్-ఇండియం-గాలియం డైసెలెనైడ్ సన్నని పొరను తయారు చేసే మెరుగైన పద్ధతి.
   పేటెంట్ దరఖాస్తు సంఖ్య: 2084/DEL/2012
   తేదీ: 05/07/2012
   ఆవిష్కర్తలు: సంజయ్ ఆర్. ధాగే, మనీష్ తక్ మరియు శ్రీకాంత్ వి. జోషి.
2. శీర్షిక: మెరుగైన నాణ్యత గల ఎక్స్‌ఫోలియేటెడ్ గ్రాఫైట్‌ను ఉత్పత్తి చేయడానికి క్రయో చికిత్స ద్వారా మెరుగుపరచిన ఇంటర్‌కలేషన్ ప్రక్రియ.
   దరఖాస్తు స్థితి: దరఖాస్తు సమర్పించబడింది (2023).
   ఆవిష్కర్తలు: నౌడురు రవికిరణ్, బాలాజీ పద్య, సంజయ్ ధాగే, వి.వి.ఎస్.ఎస్. శ్రీకాంత్ మరియు పి.కె. జైన్.
   దరఖాస్తు సంఖ్య: 202341067942
3. శీర్షిక: సహజ గ్రాఫైట్ రేకుల నుండి బల్క్ గ్రాఫీన్ సంశ్లేషణ మరియు దాని ఉపయోగాల కోసం షియర్-ఆధారిత పద్ధతి.
   ఆవిష్కర్తలు: నౌడురు రవికిరణ్, సంజయ్ ఆర్. ధాగే, వి.వి.ఎస్.ఎస్. శ్రీకాంత్ మరియు పి.కె. జైన్.
   దరఖాస్తు సంఖ్య: 202541114679
4. శీర్షిక: మల్టీవాల్డ్ కార్బన్ నానోట్యూబ్స్ (MWCNTs) శుద్ధీకరణ ప్రక్రియ.
   ఆవిష్కర్తలు: సంజయ్ ఆర్. ధాగే, మేరీ సువర్ణ ప్రీతి అంబాటి, కరణం తేజ, పి.కె. జైన్, నారాయణం శేషుబాబు, పి. మోహన సుందరం, సమాల భాను మూర్తి, రవి ప్రకాష్ గుప్తా మరియు ఉమిష్ శ్రీవాస్తవ్.
   దరఖాస్తు సంఖ్య: 202641024757

ప్రధాన ప్రాజెక్టులు:

1. DC విద్యుత్ అనువర్తనాల కోసం గాజు మరియు ఫ్లెక్సిబుల్ సబ్‌స్ట్రేట్‌లపై CIGS సన్నని పొర సౌర ఘటాల పైలట్ లైన్ స్థాపన మరియు నమూనాల అభివృద్ధి (అంతర్గత ప్రాజెక్ట్: 2011)
2. స్కేలబుల్ ఇంక్ ఆధారిత CIGS. (PV-1: సన్నని పొర శోషక పదార్థం మరియు ప్రాసెసింగ్, కన్సార్టియం ప్రాజెక్ట్, SERIIUS-JCERDC, 2012-2017)
3. భవన సమీకృత ఫోటోవోల్టాయిక్ (BIPV) అనువర్తనం కోసం నానోఇంక్ ఆధారిత CIGS సౌర ఘటాలు. కన్సార్టియం ప్రాజెక్ట్ (ప్రత్యామ్నాయ పదార్థాలు మరియు వ్యవస్థలపై సాంకేతిక పరిశోధనా కేంద్రం (TRC) ఏర్పాటు, DST, 2016-2021 ప్రాజెక్టులో భాగమైన TRC)
4. నిర్మాణ ఆరోగ్య పర్యవేక్షణ వ్యవస్థ కోసం అధిక ఉష్ణోగ్రత సెన్సార్ (NML 2019-20)।
5. TMT ఎడ్జ్ సెన్సార్ కోసం జెరోడర్ 3-D బ్లాక్‌పై తక్కువ ఉష్ణోగ్రత వద్ద నానోమెట్రిక్ బంగారం నిక్షేపణ (ఇండియన్ ఇన్‌స్టిట్యూట్ ఆఫ్ ఆస్ట్రోఫిజిక్స్ (IIA) ద్వారా TMT, 2020-2022)।
6. టచ్ సెన్సింగ్ అనువర్తనం కోసం ఇంక్‌జెట్ ప్రింటింగ్ ద్వారా తక్కువ ఖర్చుతో కూడిన కొత్త పారదర్శక వాహక పదార్థం తయారీ (SERB, 2022-2025)।
7. అధిక ఉష్ణోగ్రత ఫ్లాప్ సీల్స్ మరియు కార్బన్ బుష్‌ల అభివృద్ధి (CARS-DRDO, 2023-24)।
8. PAN ప్రీకర్సర్ నుండి కార్బన్ ఫైబర్ అభివృద్ధి (అంతర్గత ప్రాజెక్ట్: 2022)।
9. మల్టీవాల్డ్ కార్బన్ నానోట్యూబ్స్ యొక్క కొత్త అనువర్తనాల అభివృద్ధి (IOCL, 2023-24)।
10. ఫ్లెక్సిబుల్ సౌర ఘటాల కోసం ప్రింట్ చేయగల CIGS ఇంక్ అభివృద్ధి (ISRO-RESPOND, 2024-26)।
11. ఆటోమోటివ్ అనువర్తనాల కోసం ఛార్జ్ స్వీకరణ సామర్థ్యాన్ని మెరుగుపరచడానికి క్రియాశీల పదార్థం మరియు/లేదా పూత పదార్థంలో సంకలితంగా నానో కార్బన్‌ను మూల్యాంకనం చేయడం (అమర రాజా బ్యాటరీస్ లిమిటెడ్, 2025-26)।
12. వినూత్న ఫంక్షనల్ కార్బన్ సంకలితాలతో విద్యుత్ వాహకతను అనుకూలీకరించిన, స్కేలబుల్ జెల్-లిథియం అయాన్ పౌచ్ సెల్ బ్యాటరీ (CIFEFRA, 2025-2028)।

పరిశోధన మరియు సాంకేతిక విజయాలు:

• రెండు దశల ప్రక్రియ, స్పట్టరింగ్ మరియు వాతావరణ సీలెనైజేషన్ ద్వారా Cu(In,Ga)Se2 సన్నని పొర సౌర ఘటాల అభివృద్ధి; ప్రయోగశాల స్థాయి పరికరాలలో 13% సామర్థ్యాన్ని సాధించడం.
• ప్రయోగశాల స్థాయి ఫలితాలను పారిశ్రామిక స్థాయిలో విస్తరించగల స్పట్టరింగ్ మరియు సీలెనైజేషన్ విధానం ద్వారా పెద్ద విస్తీర్ణంలో మోనోలిథిక్‌గా సమీకృత CIGS సౌర మాడ్యూళ్ల తయారీకి అన్వయించడం. మొబైల్ ఫోన్ ఛార్జింగ్ అనువర్తనం కోసం 100 cm² మాడ్యూల్‌ను విజయవంతంగా ప్రదర్శించడం.
• వాక్యూమ్ రహిత స్ప్రే కాస్టింగ్ ఆధారిత కాపర్-ఇండియం/గాలియం డైసెలెనైడ్ సన్నని పొర సౌర ఘటాలు: తక్కువ ఖర్చుతో కూడిన విధానం; ప్రయోగశాల స్థాయి పరికరాలలో 6.7% విద్యుత్ మార్పిడి సామర్థ్యాన్ని సాధించడం.
• ముద్రించగల సన్నని పొర సౌర ఘటాలు: CIGS సన్నని పొర ఇంక్‌జెట్ ప్రింటింగ్‌ను ఉపయోగించి పర్యావరణానికి అనుకూలమైన మరియు తక్కువ ఖర్చుతో కూడిన విధానాన్ని అభివృద్ధి చేయడం; ప్రయోగశాల స్థాయి పరికరాలలో 5.2% వరకు విద్యుత్ మార్పిడి సామర్థ్యాన్ని సాధించడం.
• సన్నని పొరలపై పల్స్డ్ లేజర్/ఫ్లాష్ లైట్ అనీలింగ్ అమలు: సమర్థవంతమైన CIGS సౌర ఘటాలను పొందడానికి తక్కువ ఖర్చుతో కూడిన మరియు సమర్థవంతమైన ప్రక్రియ.
• DC మాగ్నెట్రాన్ స్పట్టరింగ్ ద్వారా 30 cm² విస్తీర్ణంలో అత్యంత పారదర్శకమైన (>85% దృశ్య ప్రాంతంలో) మరియు విద్యుత్ వాహకత కలిగిన (షీట్ రెసిస్టెన్స్ - 5 ఓమ్/స్క్వేర్) Al సన్నని పొర అభివృద్ధి; టాప్ కాంటాక్ట్ మరియు విండో అనువర్తనాల కోసం.
• ఉష్ణోగ్రతకు సున్నితమైన అనువర్తనాలు మరియు తక్కువ బ్యాండ్ గ్యాప్ ఆప్టోఎలక్ట్రానిక్ పరికరాల కోసం ఇన్‌ఫ్రారెడ్ ప్రాంతంలో మెరుగైన ప్రసార సామర్థ్యం కలిగిన గది ఉష్ణోగ్రత వద్ద స్పట్టర్ చేసిన Al సన్నని పొరల అభివృద్ధి.
• మెటల్ కాంటాక్ట్ అనువర్తనం కోసం మాగ్నెట్రాన్ స్పట్టరింగ్ ద్వారా పెద్ద విస్తీర్ణంలో (30 cm²) అత్యధిక విద్యుత్ వాహకత కలిగిన (షీట్ రెసిస్టెన్స్ – 0.25 ఓమ్/స్క్వేర్) మాలిబ్డినం (Mo) సన్నని పొరల అభివృద్ధి.
• లేజర్ మరియు యాంత్రిక స్క్రైబింగ్ ద్వారా లోహ మరియు ఆక్సైడ్ సన్నని పొరలపై నమూనాల రూపకల్పన.
• కాడ్మియం సల్ఫైడ్ ఆధారిత కాంతి ఆధారిత నిరోధకం (LDR) సెన్సార్ పరికరం, CdS/AZO/Glass అభివృద్ధి మరియు ప్రదర్శన.
• నిర్మాణ ఆరోగ్య పర్యవేక్షణ వ్యవస్థ కోసం ఫ్లెక్సిబుల్ సబ్‌స్ట్రేట్‌లపై ఇంక్‌జెట్ ప్రింటింగ్ ద్వారా అధిక ఉష్ణోగ్రత సెన్సార్ అభివృద్ధి.
• సెన్సార్ అనువర్తనాల కోసం ఫ్లెక్సిబుల్ సబ్‌స్ట్రేట్‌లపై విద్యుత్ వాహక ఇంక్ నమూనాల ఇంక్‌జెట్ ప్రింటింగ్.
• సీలింగ్ అనువర్తనాల కోసం అధిక ఉష్ణోగ్రత కార్బన్ సీల్స్ మరియు బుష్‌ల అభివృద్ధి.
• అధిక నాణ్యత గల ఎక్స్‌ఫోలియేటెడ్ గ్రాఫైట్ ఉత్పత్తి కోసం సవరించిన ఇంటర్‌కలేషన్ ప్రక్రియ.
• బ